اندرکنش سازه های هیدرولیکی و مهندسی خاك و پی

چکیده

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه T شکل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره­ها عایق می­باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می­گردد. عدد هارتمن از 0 تا 80 تغییر داده شده و محفظه تحت زوایای 0 تا 90 درجه چرخیده است. نتایج نشان می­دهند، اثر میدان مغناطیسی بر نوسلت متوسط در ریلی­های بالا بیشتر است. در Ra=10⁵، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب کاهش نوسلت متوسط می­شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب افزایش نوسلت متوسط می­شود. در Ra=10⁶، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب افزایش نوسلت متوسط می­شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب کاهش نوسلت متوسط می­شود. همچنین نتایج نشان می­دهد، بیشترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 10⁵ و 10⁶، در زاویه 5/67 درجه رخ می­دهد و کمترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 10⁵ و 10⁶، به ترتیب در زاویه صفر و 5/22 درجه رخ می­دهد.